Samsung présente sa puce de SRAM en 10 nm


La SRAM de SamsungLa SRAM de SamsungSamsung a présenté lors de l’ISSCC la semaine dernière deux puces SRAM de 16 Mo gravées en 10 nm et utilisant des FinFET. La première a une surface de 0,040 µm2, tandis que l’autre a une surface de 0,049 µm2. La première est 38 % plus petite qu’un modèle similaire en 14 nm. La démonstration reste pour l’instant une vitrine technologique. Selon un analyste cité par EETimes, les rendements sont encore très faibles. Samsung lui-même avait du mal à décrire les améliorations de son 10 nm comparativement à son 14 nm.

Bref, c’est une étape importante pour le 10 nm, mais il y a encore de nombreux défis à relever, comme la gestion de la tension lorsque la puce a une taille aussi petite. Comme le souligne nos confrères de Hardware.fr, la SRAM d’Intel en 14 nm avait une surface de 0,0588 µm2 et la firme avait atteint 0,050 µm2 à l’ISSCC 2015 (cf. « Intel voit après le 10 nm »). Bref, il sera intéressant de voir comment le 10 nm de Samsung évolue comparativement à celui d’Intel qui semble être en avance sur son concurrent.

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