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Les premières DRAM en 40 nm

Par - Source: EETimes | B 0 commentaire

Samsung vient d’annoncer avoir validé les premiers modules de DDR2 gravé en 40 nm.

Après de la DDR3 4 Gbits

Le Coréen est donc particulièrement prolifique en ce moment. En effet, fin janvier dernier, il a annoncé ses premières puces 4 Gbits de DDR3, rendues possibles grâce à une finesse de gravure de 50 nm (cf. « Samsung : vers des barrettes de 32 Go de DDR3 »).

Des modules en 40 nm

Samsung marque donc une nouvelle étape en présentant, pour la première fois au monde à notre connaissance, des puces de 1 Gbit de DDR2 gravées en 40 nm. Selon le fabricant, cette augmentation de la finesse de gravure va permettre une réduction de la consommation de l’ordre de 30 %.

La fabrication en masse de ces puces devrait commencer rapidement alors que Samsung parle déjà de produire en masse des modules 2 Gbit de DDR3 en 40 nm d’ici la fin de l’année.

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