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Samsung : 2Gb de DDR3 en 30nm

Par - Source: TechConnect | B 1 commentaire

Annoncées un peu plus tôt dans l’année, les puces de mémoire DDR3 de 2 Gb gravées en 30 nm commencent à être produites en masse dans les usines de Samsung.

Capables de fonctionner à une fréquence de 1866 MHz avec une tension de 1,35V, ou à 2133 Mhz à 1,5V, ces puces sont destinées aux ordinateurs de bureau, aux serveurs , aux ordinateurs portables et à tous les autres appareils mobiles. Le constructeur devrait par la suite, probablement avant la fin de l’année, lancer la production de masse de puces de 4 Gb de mémoire DDR3 également gravées en 30 nm.

Commentaires
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  • abswindows7 , 21 juillet 2010 19:45
    J'espere que le prix sera abbordable !

    C'est puce me semble petite ? A quand les barettes de ram 16 gig ddr3 2000 @ 1.65 ?