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L’EUV chez Globalfoundries en 2014

Par - Source: EETimes | B 4 commentaires

Globalfoundries vient d’annoncer qu’il commencera à fabriquer des puces en masse en utilisant un procédé de lithographie à ultraviolet extrême d’ici 2014, voire 2015.

Le pari de Globalfoundries : prendre du retard et faire des économies

Il installera les premières machines dans son usine Fab 8 à Malte durant le second semestre 2012. Il a donc décidé de ne pas acheter des machines de pré-production, contrairement à TSMC (cf. « La lithographie EUV chez TSMC en 2011 ») qui devrait recevoir ses premiers équipements l’année prochaine pour une production en masse en 2013.

Globalfoundries sera donc en retard sur ses concurrents, mais espère profiter d’un rendement plus solide en utilisant une technologie un peu plus mûre. C’est un pari technologique raisonnable et seul le temps pourra réellement dire s’il valait la peine. C’est en tous les cas une décision qui va à contre courant, puisqu’Intel, Samsung et Toshiba ont choisi la même stratégie que TSMC.

L’heure de gloire de l’EUV semble enfin arrivée

Utilisant une longueur d’onde de 13 nm, la lithographie par ultraviolet extrême est censée être utilisée pour la production en masse de puces gravées en 15 nm. Les détracteurs pensent néanmoins que cette technologie ne sera pas prête avant au moins 2016. Il faut savoir qu’elle était censée être utilisée avec le 65 nm, mais qu’elle a connu de nombreux retards en raison des coûts exorbitants des machines et du nombre trop faible de puces fonctionnelles.

Il y a tout de même de nombreuses raisons d’être optimiste sur l’avenir de la lithographie par ultraviolet extrême et son utilisation en masse dans les fonderies. Tout d’abord, le fait que les acteurs mondiaux investissent dans les équipements nécessaires pour fabriquer des puces en masse montre qu’ils sont confiants et comptent sur cette technologie. En effet, lorsque l’on sait qu’une machine EUV est estimée à 65 millions d’euros, on comprend que les fondeurs n’ont pas pris la décision d’utiliser cette technologie à la légère. Bref, si les principaux acteurs concernés font le pari de l'EUV, on peut penser que l'heure de gloire de cette technologie est arrivée.

De plus, les coûts de fabrications liés à la photolithographie par immersion sont de plus en plus exorbitants. Ce processus utilise une longueur d’onde de 193 nm et fait aujourd’hui appel au double-motif (double patterning) qui consiste à répéter l’exposition du wafer une seconde fois et parfois même sa gravure afin d’obtenir un résultat plus précis. Or concrètement, un responsable de Globalfoundries a avoué que cette technique a tellement fait grimper les prix que l’EUV pourrait aider les usines à abaisser leurs coûts. Les fabricants ont donc des raisons de s'investir dans le succès des ultraviolets extrêmes, ce qui est toujours un facteur important pour l’avenir d’une technologie.

Commentaires
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  • mommie , 16 juillet 2010 11:40
    et dire qu'au début de l'année 2000/2001 on en était avec des process de 180/130nm et maintenant on s'attaque au 15nm,mais jusqu'où iront-ils???
    hâte de voir la suite en tous cas!

  • dark-sorrow , 16 juillet 2010 15:34
    Jusqu'à 1 nm soit des pistes électriques d'un atome de la large ... Il faudra ensuite se tourner vers les processeurs quantiques voir sûrement même avant =°
  • koolspot , 16 juillet 2010 23:35
    euh... 1nm je doute de cette possibilité ,autant le 3nm pourrait être envisagé ,que 1nm c'est trop peu .
    En effet, un atome n'est pas fixe il bouge et si 2 atomes ne sont plus face à face tu perds l'information (en gros c'est de la décohésion, un problème quantique toujours présent quand t'approche la taille de l'atome) .
    De plus ,on ne peut écrire sur 1/2 atome,c'est inutile , donc le minimum que l'on pourrait espérer c'est 3nm .
    Mais vu les problèmes que cela va engendrer(pertes par fuite,...) je l'ai voit bien s'arrêter à 5nm ou même avant vers 8/9nm pour aller en moins de 10 et c'est tout .
    Si cela se trouve dans ce futur proche un atom apparaitra énergivore,ou pas ^^
  • manulelutin , 19 juillet 2010 14:12
    les fuites d'electrons sous 10 nm posent pas mal de soucis. A 1(nm, on sera déjà fort près de la limite de la technologie, avec le silicium en tout cas...