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Le 10 nm d’Intel aura-t-il l’EUV ?

Par - Source: EETimes | B 3 commentaires

Intel a annoncé qu’il avait commencé à définir les règles de son 10 nm et que la lithographie à ultraviolets extrêmes (EUV) était en retard.

Intel plannifie déjà pour son 10 nm

Selon son planning, Intel devrait commercialiser le 14 nm fin 2013 et le 10 nm deux ans plus tard. C’est à ce stade que la firme compte abandonner la lithographie par immersion utilisant un laser d’une longueur d’onde de 193 nm pour passer à l’EUV. Intel espère que d’ici quatre ans, la technologie aura suffisemment mûri pour offrir des rendements intéressants sans engendrer des coûts exorbitants.

Intel a expliqué que la condition sine qua non pour que l’EUV soit utilisé en 10 nm est que des scanners prêts pour la production de wafers en masse soit disponibles pour le second semestre 2012. C’est un message fort qu’il a lancé à Nikon et ASML les deux principaux fournisseurs de ces équipements.

Optimiste, mais réaliste

Intel est optimiste quant à l’utilisation de cette technologie. Elle est très attendue et devient nécessaire puisque les coûts liés à l’utilisation du double motif (double patterning) augmentent constemment. De nombreux concurrents d’Intel comptent d’ailleurs sur l’EUV pour graver en 14 nm (cf. « Le 20 nm ne sera pas la révolution attendue »).

Ce n’est pas la première fois qu’Intel serait en retard sur un procédé lithographique. En effet, alors que tous les fondeurs ont utilisé l’immersion dès le 45 nm, Intel a attendu le 32 nm pour faire le pas. La firne n’hésite pas à privilégier les innovations portant sur la structure des transistors (ce fut le premier a utiliser une grille métallique et une couche isolante High-k) et à profiter des méthodes de fabrication qu’il maitrise en attendant qu’un processus lithographique produise de meilleurs rendements.

Commentaires
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  • Anonyme , 1 mars 2011 14:13
    c'est un peu blindé de fautes d'orthographe, cet article au demeurant intéressant...
  • Anonyme , 2 mars 2011 11:10
    "ce fut le premier a utiliser une grille métallique et une couche isolante High-k"

    c'est à la fois vrai et faux,ce qui est amusant c'est que quoi qu'il arrive il faut dire INTEL en avance , à ce que je sache intel produit en 32 nm d'autres fondeurs produisent déjà en 28 nm.

    pour le Hig-K IBM avait conçu sa technologie en même temps qu'INTEL par contre le 45 nm chez IBM était sorti un peu plus tard (3-6 mois) entre autre parcequ'il intégrait déjà la technologie par immersion alors que le 45nm d'intel restait sur la technique habituelle le gap était donc plus grand chez IBM ... ce qui n'a pas empêcher tout le monde de féliciter INTEL pour son "avance"

    http://news.bbc.co.uk/2/hi/technology/6299147.stm
    http://www.nytimes.com/2007/01/27/technology/27chip.html?_r=1

    Pour ce qui est de l'immersion au départ INTEL n'avait pas prévu de passer par cette technologie et de passer directement à l'UVE
  • shooby , 5 mars 2011 11:34
    Anonymec'est un peu blindé de fautes d'orthographe, cet article au demeurant intéressant...

    vive word