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GlobalFoundries : le 10 nm en 2015, le 7 nm dès 2017

Par - Source: Xbit | B 2 commentaires

Le fondeur GlobalFoundries a profité du Common Platform Technology Forum - qui s’est tenu la semaine dernière et où s’expriment les différents membres de la de la Common Platform Alliance – pour présenter ses technologies actuelles et à venir.

20 nm, puis 14 nm, puis 10 nm, puis 7 nm …

D’ici la fin de l’année, GlobalFoundries devrait ainsi commencer à utiliser son process 20-LPM (20 nm), pour rapidement migrer vers le process 14-XM (14 nm) et ses transistors FinFET dès 2014. La gravure en 10 nm (10-XM) est quant à elle attendue pour le second semestre 2015, tandis que le process de gravure en 7 nm pourrait voir le jour d’ici quatre ans.

On notera au passage que le fondeur devrait concentrer ses efforts sur la gravure en 14 nm, le process 20-LPM pouvant être considéré comme une étape de transition. Les process 14-XM (« eXtreme Mobility ») et 10-XM devraient également être bien plus polyvalents que les actuels procédés de gravures en 28 nm, quasiment chaque type de puce ayant son propre procédé de gravure (28-SHP pour la gravure des puces hautes performances, 28-HPP « High Performance Plus », 28-LPH « Low-Power, High-Performance » ou encore 28-SLP « Super Low Power »). Reste à savoir si le fondeur parviendra à respecter cette roadmap, et si les yields seront satisfaisants…

Commentaires
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  • WLnorton , 13 février 2013 01:08
    2013 toujours pas de 28 nm gravure en 32 nm ^^
  • Yannick G , 13 février 2013 14:34
    Citation :
    2013 toujours pas de 28 nm gravure en 32 nm ^^


    Ils me semblait qu'ils produisaient depuis quelques temps des SoC ARM en 28 nm, pourtant ?
    (faut que je retrouve quels puces exactement)