Hynix et Grandis viennent d’annoncer la signature d’un accord à long terme pour le développement et la fabrication de STT-RAM.
L’union fait la force
Grandis, qui est un des pionniers en matière de STT-RAM, devrait intégrer ses technologies dans des puces Hynix, en se réservant une part du gâteau. Ainsi, les équipes techniques des deux sociétés font travailler ensemble à l’intégration des « jonctions tunnel magnétique » dans des CMOS.
Spin et idéal
Pour rappel, la STT-RAM reprend le principe de la MRAM. Les données (1 ou 0) sont représentées par un champ magnétique. Le problème des MRAM dites classiques est qu’elles demandent de générer un courant important ce qui est incompatible avec les systèmes prônant une faible consommation. De plus, la grande intensité du courant peut aussi affecter involontairement d’autres cellules, provoquant des erreurs d’écriture. Enfin, les MRAM originelles supportent très mal les finesses de gravure en dessous de 40 nm.
C’est pour cela qu’une autre technique a été élaborée, dites du Spin Transfer Switching ou Spin Torque Tranfert (le fameux STT des STT-RAM). Grossièrement, le spin - notion issue de la physique quantique - caractérise le mouvement de rotation de chaque électron. Le principe veut que le spin de chaque électron s’aligne, sur l’orientation du champ magnétique créé par l’élément qu’il traverse (cf. schéma ci-dessus). L’avantage de cette technologie est qu’elle demande un courant plus faible (1.5 V) et qu’elle tolère bien mieux les augmentations de finesse de gravure. Cela permet donc d’améliorer la densité des puces STT-RAM comparativement aux MRAM classiques et de réduire les coûts de production. La technique du STT offre aussi un nombre quasi illimité de cycles de lecture/écriture.
Les deux sociétés ne parlent pas encore de commercialisation.
Pour plus d’information sur les mémoires de demain, vous pouvez lire notre dossier « Retour sur le futur des mémoires ».
Une petite coquille : ne serait-ce pas une tension d'1.5V ?
par contre la puissance consommée dépend aussi de la tension(P=UI).
c'est pour ça que vous êtes pas très rigoureux quand vous dites que la ram consomme moins quand elle a une tension plus faible.ce qui fait la conso d'une barette de ram c'est P=UxIxFxK (U:tension en volts,I intensité en ampères,F Fréquence en Hertz,K constante propre à la barette en temps si je me trompe pas) c'est pareil pour un pross.
la tension ne suffit pas à dire si la conso d'une barette sera plus faible.vous pouriez faire un dossier là dessus.
Et oui Kstor a raison, ce n'est pas parce que la tension est "faible" que le courant l'est aussi, on peut augmenter l'un en baissant l'autre.
Par contre on ne dit pas qu'est ce vaut niveau performance face à la DDR.. j'aimerai bien savoir par curiosité.. A moins que ce ne soit pas prévu pour le même genre d'application..