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Le Hybrid Memory Cube d'Intel et Micron pour une DRAM intelligente

Par - Source: Tom's Hardware FR | B 2 commentaires

Intel et Micron ont montré le Hybrid Memory Cube, une puce de DRAM dans laquelle est intégrée un circuit logique bien plus complexe que ce que l’on trouve aujourd’hui. Il sert de mémoire tampon et optimise le flot d’information pour permettre des débits de 1 Tbit/s en ne demandant que 8 W et 1,2 V. À consommation identique, il a des performances sept fois supérieures à celle d’une DDR3.

Les deux constructeurs ont empilé le circuit logique dans le packaging avec les dies de DRAM. L’idée d’empiler des dies de DRAM dans un même packaging n’est pas nouvelle, mais la technologie se complique grandement dès que l’on utilise une architecture plus complexe, comme celle d’un circuit logique. Il y a donc encore de nombreux défis à relever en ce qui concerne les rendements et coûts, mais cette nouvelle structure pourrait être la solution aux goulots d’étranglement que l’on anticipe sur les DRAM.

Le gain de performance est dû au fait que la communication entre la mémoire et le processeur est grandement simplifiée, le circuit logique ouvrant la voie à des protocoles d’accès plus efficace et plus rapide.

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  • likitorti , 16 septembre 2011 16:34
    tres interessant .. mais je pense bien qu'il y a encore des annes avant que cet technologie soit commercialiser
  • blizarin , 16 septembre 2011 23:15
    Oui car avant ça, on va devoir se taper de la DDR4 qui n'en vaut même pas la peine alors que la DDR5 existe.