Hynix : 2 Gb de DDR2 mobile basse tension

Neuf mois après avoir dévoilé une puce de 1 Gb de mémoire DDR2 « low-power » gravée en 54 nm, Hynix vient d’annoncer avoir mis au point une puce de 2 Gb de mémoire DDR2 basse consommation.

Gravée en 40 nm, cette puce fonctionne avec une tension de 1,2V seulement (elle est donc conforme aux spécifications LPDDR2 du JEDEC) et affiche une bande passante de 4,26 Gbps. Destinée aux appareils mobiles (smartbooks, smartphones et autres tablettes PC), cette puce devrait être produite en masse d’ici la seconde moitié de l’année.

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