IBM vient de publier un communiqué relatant les derniers développements de ce qui pourrait être la remplaçante de la mémoire Flash. Baptisée PCM ou PRAM il s’agit d’une mémoire à changement de phase. Cette technologie, dont l’idée remonte aux années 1970, est à l’étude chez de très nombreux constructeurs tels Samsung, STMicroElectronics, Intel... et IBM. Pour en savoir plus sur son fonctionnement, vous pouvez (re-)lire notre dossier d’actualité “Retour sur le futur des mémoires”.
Big Blue a amorcé une collaboration étroite avec Infineon (aujourd’hui Qimonda) et Macronix en mai 2005 afin de mettre au point sa propre PRAM. Et c’est le fruit de cette collaboration que les chercheurs vont présenter la semaine prochaine au cours de l’International Electron Devices Meeting à San Francisco. Leur principale avancée est l’invention d’un nouveau matériau cumulant à la fois rapidité de changement d’état (500 fois plus rapide que la Flash, durée de vie, et facilité de gravure jusqu’à 22 nm et moins. Les chercheurs d’IBM espèrent ainsi que la PRAM pourra prendre le relais de la Flash lorsque celle-ci aura atteint sa finesse minimum, aux alentours des 45 nm.
Voila l'industrie du disque hybride qui risque de décoler un sacré coup, surtout si les composants sont fiables.