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Des NAND 2x nm en 2010

Par - Source: EETimes Asia | B 0 commentaire

Micron vient d’annoncer qu’il allait bientôt envoyer des exemplaires de tests de NAND gravées en 2x nm, en partenariat avec Intel.

Une concurrence acharnée

Si la firme a refusé de donner une finesse de gravure plus précise, nous savons que les premiers modules sortiront des usines au début de l’année prochaine. Il faut dire que la concurrence est rude alors que TSMC prévoit de graver en 28 nm en 2010 et Toshiba et SanDisk ont annoncé des NAND de moins de 30 nm pour l’année prochaine (cf. « Toshiba, SanDisk et le 20 nm en 2010 »).

2010 : une bonne année pour la mémoire Flash

Intel et Micron pourraient néanmoins être les premiers à fabriquer ce genre de puce, ce qui permettrait à la firme de Santa Clara de renouveler son catalogue de SSD d’ici le milieu de l’année prochaine. Les fabricants de NAND se réjouissent en tous les cas des prévisions pour 2010 et 2011 qui sont excellentes. Les prix devraient se maintenir et la demande devrait être au rendez-vous.

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