Samsung présente une mémoire Flash en 10 nm

Samsung a commencé la production de NAND de 8 Go utilisant une finesse de gravure de type 10 nm le mois dernier. Les modules iront dans des cartes mémoires eMMC Pro Class 2 000 de 64 Go dans un premier temps.

De 50 nm à 10 nm en 5 ans

La nouvelle finesse de gravure améliore les rendements de 30 % par rapport au 20 nm. Les modules offrent des débits de 260 Mo/s en lecture et 50 Mo/s en écriture. Avec le temps, on devrait retrouver cette finesse de gravure sur les NAND des SSD et les mémoires vives des SoC.

Samsung a ouvert une usine dédiée aux mémoires flash 10 nm en septembre 2011. En cinq ans, le Coréen est passé de 50 nm à 10 nm (cf. « Samsung produit de la mémoire Flash à 50 nm »).