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Spansion toujours numéro 1

Par , 2007-11-08 - Source: EETimes | B 2 commentaires

Mémoire Flash SpansionSpansion est toujours le numéro 1 mondial des mémoires Flash NOR avec un chiffre d’affaires de 628 millions de dollars. Cela représente néanmoins une baisse de 8,6 % par rapport au trimestre précédent. C’est ce que révèle une étude d’iSuppli. Cette baisse reste néanmoins minimum par rapport à ses concurrents. Intel a en effet perdu 19,6 % sur ce marché alors que STMicroelectronics accuse une chute de 12,6 %. Silicon Storage Technology perd 20 %. Le seul à voir son chiffre d’affaires augmenter est Samsung qui occupe la quatrième place au classement et qui gagne 1,9 %.

On comprend donc que c’est tout le marché de la mémoire Flash NOR qui souffre avec une chute 11,9 % et un revenu global qui repasse sous la barre des deux milliards de dollars. Ce trimestre est le plus mauvais qu’Intel n’ait jamais connu sur ce terrain.

Commentaires
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  • stmarteen10 , 4 mai 2007 09:55
    Salut,

    Quelle est la particularité de la mémoire flash NOR ?
  • David Civera , 4 mai 2007 14:32
    Très bonne question

    Citation :
    La mémoire NAND est le type de mémoire flash le plus courant. Relativement bon marché, elle permet de grandes capacités grâce à sa densité élevée. Elle est moins rapide que la NOR en lecture, mais beaucoup plus rapide en écriture (plus précisément au niveau de l’effacement des cellules). La mémoire NOR est très rapide en lecture, mais très lente en écriture, car effacer une cellule est très pénalisant avec cette mémoire. En général, il faut 750 millisecondes pour effacer une cellule de mémoire NOR, et moins de 2 ms sur une cellule NAND. La grosse différence se fait au niveau de la densité, faible sur la NOR, et surtout sur le mode d’adressage : une mémoire NOR est accessible aléatoirement, alors que la flash NAND nécessite de passer par un buffer pour accéder aux données.


    http://www.presence-pc.com/actualite/intel-nand-22115/

    Citation :
    La mémoire flash de type NOR (dont le nom provient de la porte logique utilisée pour sa structure) a été inventée en 1988. Elle est rapide en lecture, mais très lente en écriture (particulièrement en effacement). Elle a l’énorme avantage, contrairement à la mémoire NAND, d’être adressable directement. Concrètement, on peut accéder à un bit précis sur la mémoire alors que la mémoire NAND nécessite de passer par une mémoire tampon et des registres. Le gros défaut de la mémoire NOR, outre sa vitesse en écriture, c’est sa densité très faible.


    http://www.presence-pc.com/actualite/nor-intel-21719/

    En espérant avoir éclairer certaines lumières