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La ReRAM en 3D de Samsung est très prometteuse

Par - Source: TechOn! | B 0 commentaire

La structure de la ReRAM classique à gauche et la VRRAM à droite (source : TechOn!)La structure de la ReRAM classique à gauche et la VRRAM à droite (source : TechOn!)

Samsung a présenté sa VRRAM ou Vertical ReRAM aussi connu sous le nom de ReRAM 3D. Il s’agit d’une ReRAM qui utilise une grille composée d’électrodes verticales et d’électrodes horizontales, selon les propos recueillis par TechOn!. Cette structure en 3D permet la création d’une mémoire plus dense que la NAND et les nouveaux matériaux utilisés par Samsung offrent des performances intéressantes.

Une cellule mémoire utilisant du tellure, du béryllium et un oxyde de thulium

La cellule mémoire peut être réécrite 107 fois, soit nettement plus qu’une cellule de NAND MLC de 2 bits (cf. « Durée de vie des SSD : il est en train de mourir (8) »). Elle demande aussi un courant électrique de moins de 1 µA et ses propriétés non linéaires réduisent les risques de corruption des cellules voisines lors de la phase d’écriture.

Pour arriver à ses fins, Samsung semble avoir utilisé du tellure et du béryllium et un oxyde de thulium qui vient séparer les électrodes. On parle de la ReRAM depuis au moins 5 ans (cf. « Fujitsu améliore sa ReRAM, la mémoire du futur ? »). Des avancées importantes ont eu lieu cette année (cf. « Une ReRAM ferroélectrique prometteuse ») alors que cette mémoire tente de concurrencer la NAND. Pour rappel, son fonctionnement repose sur la modification de la résistance électrique au sein de matériaux lors de l’application d’une tension. Une résistance forte ou faible sera interprétée comme un 1 ou un 0.

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