Samsung : pas de retard en 10 nm, nouveaux transistors en 7 nm dès 2018

Un wafer en provenance de SamsungUn wafer en provenance de Samsung

Samsung dément les dernières rumeurs parues la semaine dernière, et affirme que son 10 nm est toujours dans les temps. La firme aurait déjà livré 70 000 wafers de son 10 nm LPE (Low Power Early), et la production en masse a démarré en octobre dernier. Les rendements atteindraient les niveaux prévus, et le fondeur affirme déjà que ses 10 nm LPP (Low Power Plus) et 10 nm LPU (Low Power Ultimate), les prochaines générations de sa finesse de gravure, seront produits en masse en 2017 et 2018 respectivement.

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Nouveaux transistors

Selon DigiTimes, le Coréen est aussi en bonne voie pour entamer la production en masse de ses premiers wafers en 7 nm dès 2018. L’entreprise prévient déjà que cette transition sera plus difficile, et qu’elle pourrait avoir des problèmes de rendement. Le 7 nm marquera la première fois que Samsung utilisera des transistors à grille circulaire (Gate-All-Around ou GAA). Cette structure, dont on vous parle depuis 2006, permet de grandement réduire les courants de fuite lorsque l’on atteint une si petite taille. Cette finesse de gravure serait d’abord utilisée sur des GPU et composants puissants.

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