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Les transistors en graphène se rapprochent

Par - Source: Ars Technica | B 0 commentaire

Deux papiers publiés dans la revue Nature Physics de ce mois-ci permettent d’envisager la fabrication de transistors en graphène à trois couches et si nous sommes encore loin de leur commercialisation, il est indéniable que la recherche avance à grands pas. En juin dernier, IBM a franchi une étape symbolique en produisant le premier die en graphène.

Un transistor à trois couches de graphène

Le graphène est une couche d’atomes de carbone adoptant une structure en nid d’abeille. C’est un excellent conducteur. La question est de savoir comment l’utiliser dans un transistor qui doit passer d’un état « on » où le courant passe à un état « off » où il ne passe pas. Pour pouvoir créer une telle structure, les chercheurs ont montré qu’il fallait superposer trois couches de graphène de manière particulière (image (b) et (d) de la photo ci-contre) pour reproduire le fonctionnement d’un semi-conducteur.

Les travaux présentés ce mois-ci arrivent aux mêmes conclusions, ce qui explique qu’ils soient publiés dans la même édition de la revue Nature Physics, mais ils adoptent un protocole de tests différents. Dans un cas, les scientifiques ont découvert qu’en modifiant la longueur d’onde d’une lumière bombardant le transistor, ils pouvaient modifier sa conductivité. Les changements de longueur d’onde sont directement liés à des changements de tensions appliqués à la structure. L’autre expérience est plus classique. Elle analyse les propriétés du transistor en fonction de la tension électrique qui le traverse. Néanmoins, elle est plus complexe à réaliser, car il faut soulever le graphène du substrat en silicium sur lequel il repose pour être certain qu’il n’influence pas ses performances.

Ces deux expériences font la lumière sur les transistors à trois couches de graphènes. Il reste encore beaucoup de défis industriels à relever, mais c’est un pas de plus vers les puces en carbone.

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