La première puce NAND 3D TSV de 1 To est signée Toshiba, production en 2017 ?

La NAND 3D TSV de ToshibaLa NAND 3D TSV de ToshibaToshiba annonce avoir développé la première NAND 3D BiCS au monde utilisant des interconnexions TSV (Through Silicon Via), ce qui lui a permis d’obtenir une capacité de 1 To par packaging à l’aide de seulement 16 die empilés. La firme, qui a aussi conçu une puce de 512 Go embarquant seulement 8 dies, a fait appel à des cellules TLC stockant trois bits afin d’accroître la densité de l’ensemble.

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La nouvelle évolution des NAND

Jusqu’à présent, les dies empilés dans les NAND étaient reliés par un câble en périphérie de la pile, comme le montre la photo ci-contre d’une V-NAND de Samsung à 16 couches. Le TSV utilise en revanche des câbles traversant verticalement les dies en silicium empilés grâce à des trous préfabriqués. L’ensemble prend moins de place et offrirait des débits plus importants tout en consommant moins d’énergie.

La mémoire serait d’abord destinée aux SSD pour entreprises. Un prototype sera présenté à la conférence Flash Memory Summit qui se tiendra en Californie au mois d’août. Les premiers exemplaires de tests sont attendus d’ici la fin de l’année.

Caractéristiques 512 Go 1 To
Nombre de dies empilés 8 16
Largueur du packaging 14 mm 14 mm
Longueur du packaging 18 mm 18 mm
Hauteur du packaging 1,35 mm 1,85 mm
Débits maximums 1066 Mbit/s 1066 Mbit/s

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