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Un photodétecteur sur une puce en silicium

Par - Source: PhysOrg | B 4 commentaires

Les chercheurs de l’agence singapourienne des sciences, technologies et de la recherche ont conçu un photodétecteur sur un die en silicium, selon le communiqué rapporté par PhysOrg. C’est une prouesse qui permet d’envisager des télécommunications optiques plus rapides.

Un photodétecteur plus rapide

Le photodétecteur reçoit le signal optique et permet sa transformation en signal électrique. Jusqu’à présent, il était placé en dehors du die (cf. « Intel transmet 50 Gbit/s grâce à une puce laser »), principalement parce que sa fabrication était trop complexe. Néanmoins, les chercheurs ont montré aujourd’hui qu’il était possible de déposer de fines couches de germanium et silicium dopées à l’arsenic et au bore, afin d’accroître la conductivité électrique de l’ensemble.

Ce processus a le grand avantage de tolérer des températures de quelques centaines de degrés Celsius, rendant sa fabrication compatible avec les usines d’aujourd’hui. Il gère une longueur d’onde d'environ 1 550 nm, ce qui tape dans le spectre utilisé par les télécommunications. La présence du photodétecteur sur le die signifie que le traitement du signal s’effectue deux fois plus rapidement que sur un modèle classique. Les résultats ont été publiés dans la revue Optics InfoBase.

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  • Melt-x , 18 janvier 2013 10:18
    Est-ce que c'est à associé au PRAM réfléchissant?
  • DayWalker , 20 janvier 2013 13:45
    Ayant travaillé dans le domaine pendant ma thèse et mon post doc, dit ainsi, il n'y a rien de nouveau, car ca fait un moment qu'on sait faire des photodiodes sur silicium, rapides et compatibles avec les Telecoms. Le dépôt de Ge n'a rien de nouveau, car c'est un matériau utilisé depuis un bon moment, et les dopages sont on ne peut plus classiques. Donc rien de compliqué niveau fabrication, et depuis quelques années.

    L'éventuelle primeure de ce composant, s'il y en a, est à chercher ailleurs.
  • DayWalker , 20 janvier 2013 13:48
    Par contre, pour une APD (avalanche photo diode), c'est pas trop mal, mais il n'est fait mention nulle part de la tension de fonctionnement... c'est pour avoir l'avalanche, il faut beaucoup de champs électrique et traditionnellement, ce sont des tensions >> 10 V qui interviennent (pas pratique pour une intégration intra puce), et effectivement, le produit gain-bande passante semble intéressant (à confirmer)
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  • DayWalker , 20 janvier 2013 13:50
    Ah si, dans l'article, c'est >20 V de polarisation.