Samsung Z-NAND : 1 Go/s de plus que les SSD Optane d'Intel

Z-NAND de SamsungZ-NAND de SamsungSamsung vient de publier un document donnant de plus amples informations sur les performances de sa Z-NAND, sa mémoire lancée l'été dernier et qui est censée concurrencer la 3D XPoint d’Intel et Micron. Il s’agit simplement d’une NAND SLC avec un contrôleur optimisé afin de grandement accroître les performances. Elle a le grand avantage d’être plus facile à fabriquer, mais tout n’est pas rose.

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Concurrence acharnée

En effet, la Z-NAND a des atouts certains. Ses débits en lecture et écriture séquentielles sont nettement plus importants puisqu’ils atteignent 3,2 Go/s pour une capacité similaire de 800 Go. En revanche, la mémoire coréenne a des débits en écriture aléatoire nettement inférieurs et une latence assez élevée, même si c’est nettement mieux que sur les SSD classiques à plus de 100 µs. La Z-NAND pourrait donc être une solution nettement plus abordable pour accélérer certaines bases de données.

Modèle Mémoire Capacité Lecture/Écriture aléatoire Lecture/Écriture séquentielle Endurance Latence (lecture/écriture)
Optane P4800X 3D XPoint 750 Go 550 000 IOPS 2,4 / 2 Go/s 41 Po 10 µs
SZ985 NAND 800 Go 750 000 / 170 000 IOPS 3,2 Go/s 42,7 Po 12–16 / 20 µs

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