La start-up Crossbar promet des puces de RRAM en 3D stockant 1 To

Parmi les nombreuses alternatives à la mémoire Flash, la mémoire ReRAM est une des plus prometteuses. Certains obstacles ont empêché sa commercialisation jusqu’à présent, notamment l’impossibilité de créer des empilements 3D de cellules. Mais une start-up, Crossbar, prétend les avoir surmontés et se dit prête à fabriquer une puce de 1 To.

La mémoire Flash est à l’origine d’une véritable révolution du stockage : elle a permis l’émergence des clés USB, des cartes mémoires puis des smartphones et tablettes et à donné un coup d’accélérateur très attendu aux PC. Malgré tous ces bienfaits, la mémoire Flash n’est pas parfaite. Elle souffre d’une certaine lenteur en écriture, d’une durée de vie limitée et se révèle de plus en plus délicate à miniaturiser.

La mémoire résistive ReRAM, ou RRAM est une alternative prometteuse. Selon Crossbar, elle pourrait être 20 fois plus rapide en écriture tout en consommant 20 fois moins d’énergie. En plus, grâce à sa technologie 1TnR où un seul transistor pilote de multiples cellules (jusqu’à 2000 cellules), Crossbar affirme pouvoir atteindre une densité très supérieure à la Flash : de 2 à 4 fois plus que de la Flash MLC en 2D avec la possibilité d’empiler sur 3 fois plus de couches en 3D. C’est ainsi que Crossbar peut atteindre 1 To sur une seule puce de la taille d’un timbre poste.

Les avantages potentiels évoqués par la start-up ne s’arrêtent pas là. L’endurance des cellules de RRAM atteindrait 100 millions de cycles, quand celle de la mémoire Flash se compte en milliers de cycles.

Toutes ces promesses paraissent trop belles pour être vraies, mais Crossbar a déjà produit une puce prototype de 1 Mo (en 2D) cet été et a présenté sa technologie formellement à la conférence IEDM. Aux dernières nouvelles, la jeune société visait une mise sur le marché en 2017.