Samsung : premier sur la RAM LPDDR5 de 8 Gbit, gravée en 10 nm

Une bande passante de 6,4 Gbit/s

Samsung annonce être le premier fondeur à avoir réussi à développer des puces LPDDR5 de 8 Gigabits en 10 nm. L’entreprise dit qu’elles représentent une avancée majeure pour les solutions de mémoire à basse consommation pour mobiles. Elles sont destinées à la future 5G et aux applications utilisant l’intelligence artificielle. Les puces LPDDR5 de 8 Gigabits de Samsung peuvent atteindre une bande passante de 6400 Mbit/s. Une puce peut donc débiter 51,2 Go/s sur son bus de 64 bits.

Plus de 30% de réduction de conso

Les nouvelles LPDDR5 de Samsung sont en moyenne 1,5 fois plus rapides que les meilleures DRAM actuelles (LPDDR4X à 4266 Mbit/s), tout en affichant une consommation réduite de plus de 30% grâce à la gravure en 10 nm. Cette dernière peut également baisser de moitié grâce à un nouveau mode de veille prolongée (comparé aux LPDDR4X au repos). Les LPDDR5 de Samsung à 8 Gigabits en 10 nm seront disponibles sous deux formes : la première en 6400 Mbit/s à 1,1 V, la deuxième en 5500 Mbit/s à 1,05 V.