TSMC : gravure 7 nm seconde génération finalisée, le 5 nm en avril

Des premières couches gravées à l’ultraviolet extrême

TSMC annonce avoir fait des progrès sur sa deuxième génération de procédé de gravure en 7 nm : N7+. Des premiers masques de die (taped out) ont été finalisés pour un client, dont le nom n’a pas été divulgué. Notez que le N7+ utilise, partiellement, la gravure aux ultraviolets extrêmes (EUV). TSMC dit attendre de ce procédé une réduction de la consommation allant de 6 à 12% et une densité augmentée de 20%.

L’EUV optimisé pour le 5 nm

Avec son procédé N7+ TSMC en profite pour tester l’EUV. Seules quelques-unes des couches les moins sensibles des wafers (galettes de silicium) sont gravées avec les ultraviolets extrêmes (jusqu’à 4 couches). Cela permet au fondeur de déterminer comment utiliser le mieux possible ce procédé et de l’optimiser pour une future production en masse. Dès avril 2019, TSMC compte produire en masse son 5 nm, appelé N5, et utiliser l’EUV pour graver jusqu’à 14 couches.