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3D XPoint : une mémoire 1 000 fois plus rapide que la NAND par Intel et Micron

3D XPoint™ Technology Revolutionizes Storage Memory



Intel et Micron ont annoncé avoir conçu une nouvelle mémoire non volatile nommée 3D XPoint (qui se prononce 3D cross point) qui aurait des temps de latence 1 000 fois plus rapides que ceux de la NAND. Ils seraient de l’ordre de 10 ns. La mémoire serait aussi 10 fois plus dense qu’une DRAM traditionnelle
. Les premiers exemplaires de mémoires 3D XPoint sont déjà en cours de production, selon les deux sociétés qui affirment que les puces de tests devraient être livrées aux partenaires d’ici la fin de l’année pour une commercialisation des premiers produits intégrants 3D XPoint en 2016. Intel ne donne pas encore de mesures précises, mais affirme que sa mémoire pourrait être utilisée pour remplacer à la fois la DRAM et la NAND, ce qui nous fait dire qu’elle sera probablement d’abord utilisée sur des machines pour professionnels analysant énormément de données. On imagine qu’elle aura un prix élevé dans un premier temps ce qui l’a mettra hors de portée du grand public pendant quelques années, même si Intel n’exclut pas des utilisations populaires.

La mémoire a la grande particularité de ne pas demander un transistor par cellule, ce qui explique sa densité. Chaque cellule est connectée par deux lignes (bit line et word line), ce qui permet de les adresser individuellement en changeant simplement la tension envoyée pour cibler la cellule précise sur la ligne. Cela devrait permettre d’accroître les performances en lecture et écriture aléatoire, comparativement à la NAND. Il est ensuite possible d’empiler les cellules pour accroître encore plus rapidement la capacité. Chaque die peut ainsi stocker 16 Go de données. Nous savons qu’Intel a utilisé de nouveaux matériaux, mais il n’a rien dit de plus. Enfin, contrairement à la NAND, la durée de vie de la cellule ne diminue pas rapidement au fur et à mesure des cycles de lecture-écriture. Le fait que la mémoire soit prête pour une commercialisation en masse dès 2016 est ce qui nous surprend le plus. On imagine que l’on en saura plus lors de l’IDF qui se tiendra à la mi-août. Il semblerait en tout cas que pour l’instant, le but ne soit pas de complètement remplacer la NAND, puisque les deux sociétés continuent d’investir dans ce type de puces (cf. « Intel et Micron aussi font des NAND en 3D »), mais d’offrir une solution aux performances supérieures lors de certains usages.



Image 1 : 3D XPoint : une mémoire 1 000 fois plus rapide que la NAND par Intel et MicronDes dies 3D XPoint



Introducing 3D XPoint™ Technology