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4DS ReRAM : aussi rapide que la DRAM grâce à une nouvelle structure plus stable

Futur remplaçant de la NAND ?

Image 1 : 4DS ReRAM : aussi rapide que la DRAM grâce à une nouvelle structure plus stableLa mémoire de 4DS4DS Memory vient de concevoir une nouvelle ReRAM (Resistive RAM) possédant des débits en lecture capables de rivaliser avec la DRAM. Son grand avantage est d’avoir une architecture requérant très peu de correction d’erreur, contrairement aux ReRAM classiques.

Prometteur, mais pas encore révolutionnaire

La ReRAM traditionnelle souffre de grandes fluctuations de courants, ce qui corrompt un certain nombre de bits. La mémoire fait donc appel à de nombreux systèmes de correction d’erreur pour garantir l’intégrité des données. Le problème est qu’ils pénalisent grandement les débits.

La mémoire de 4DS étant plus stable, elle peut se permettre de faire appel à des contrôleurs plus simples et plus rapides. L’entreprise explique maintenant travailler sur les rendements de ses chaînes de production pour pouvoir offrir un produit viable aux entreprises.