896 Go/s finalement pour la HBM3 de SK Hynix

Depuis la première annonce concernant la mémoire HMB3 en juin 2021, SK Hynix a revu ses spécifications à la hausse. Au départ, l’entreprise avançait un débit de 5,2 Gbit/s, pour une bande passante de 665 Go/s. En octobre, il était finalement question de 6,4 Gbit/s par broche et d’une bande passante de 819,2 Go/s. Désormais, c’est plutôt 7 Gbit/s et une bande passante de 896 Go/s.

Ces valeurs figurent dans un document préparatoire pour l’ISSCC 2022 (International Solid-State Circuits Conference). L’évènement se déroulera du 20 au 24 février. Comme indiqué sur le document, SK Hynix présentera une mémoire DRAM HBM3 à 12 couches d’une capacité de 196 Gb (24 Go). Un débit de 7 Gbit/s représente une augmentation de 34,6 % par rapport aux 5,2 Gbit/s initiaux.

Type de mémoire	HBM2	HBM2e	HBM3
I/O (Bus Interface)	1024	1024	1024
Débit max / bande passante	256 Go/s	460,8 Go/s	5,2 Gbit/s – 665 Go/s (Juin 2021) 6,4 Gbit/s – 819 Go/s (Octobre 2021) 7,0 Gbit/s – 896 Go/s (Février 2022)
Couches DRAM	8	8	12
Capacité maximale	8 Go	16 Go	24 Go
Tension	1,2V	1,2V	À déterminer

SK Hynix a mis au point les premières puces DDR5 de 24 Gb

De la GDDR6+ chez Samsung

Vous aurez remarqué le paragraphe évoquant de la DRAM GDDR6 à 27 Gbit/s. Celle-ci n’est pas signée SK Hynix mais Samsung. En effet, la firme coréenne met au point des puces GDDR6+ capables de fonctionner à un tel débit. Samsung teste également des puces GDDR6 à 24 Gbit/s depuis quelques semaines.

Source : VideoCardz