TSMC rejoint Intel pour la gravure en moins de 10 nm

TSMC a rejoint Intel, DNP et Photronics au sein de IMS Nanofabrication AG, un groupe qui travaille sur la fabrication des masques qui seront utilisés dans la gravure à moins de 10 nm, selon le communiqué.

Les fondeurs se préparent déjà au 10 nm

Selon la roadmap d’Intel, le 10 nm devrait être une réalité en 2018 (cf. « Une roadmap d’Intel jusqu’au 10 nm en 2018 »). Il devrait en principe faire appel à un laser à ultra-violet extrême (cf. « Le 10 nm d’Intel aura-t-il l’EUV ? »). Il est possible que les transistors utilisent un canal en nanotube de carbone (cf. « Un transistor de 9 nm en nanotube de carbone ») et que les puces soient d’abord destinées au monde mobile (cf. « Le premier processeur en 14 nm serait un Atom »).

Des travaux sur la fabrication de masques à l’aide de multiples faisceaux d’électrons

L’un des défis à relever est la fabrication d’un masque compatible avec ce genre de technologie. Le groupe en question travaille sur un modèle façonné à l’aide de multiples faisceaux d’électrons. C’est une technique lithographique peu utilisée, complexe, mais très prometteuse comme le montrent les recherches d’IBM (cf. « Avancée majeure : IBM signe le premier die en graphène »). Nous savons que les fondeurs s’y intéressent (cf. « Accord entre STMicroelectronics et CEA-Leti »), mais nous sommes encore très loin d’une maîtrise compatible avec les exigences d’une production en masse.

Selon IMS, le proof-of-concept est presque terminé. Il devrait donner naissance à des versions alpha et beta qui vont permettre de juger de la viabilité de cette technologie.

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