Xtracking : la nouvelle architecture de YMTC pour 3D NAND

Lors du Flash Memory Summit, Yangtze Memory Technology (YMTC) a présenté sa nouvelle solution pour permettre à la mémoire NAND Flash d’atteindre une vitesse I/O (Input/Ouput) équivalente à celle de la DRAM. D’après l’entreprise, sa nouvelle architecture, appelée Xtracking, permettrait de maximiser la capacité de leur NAND 3D, tout en réduisant la taille des dies. Selon YMTC Xtracking amènerait une vitesse I/O pouvant aller jusqu’à 3 Gbit/s, ce qui est deux fois plus rapide que les dernières puces V-NAND de Samsung et trois plus que la 3D NAND grand public.


Deux wafers au lieu d’un seul

Traditionnellement, les fondeurs produisant de la NAND flash utilisent un seul wafer pour les différentes couches et le circuit logique. YMTC, au contraire, compte utiliser deux wafers distincts, le premier pour les cellules de mémoire flash, l’autre pour le circuit logique CMOS. Les deux seraient ensuite liés à la verticale par des vias en métal. D’après l’entreprise, utiliser deux galettes au lieu d’une ne devrait pas trop affecter le coût de production, et la légère augmentation de ce dernier sera compensée par la possibilité de maximiser la densité des puces.

(Photos prises par nos confrères de chez AnandTech )

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1 commentaire
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  • tokyoquasar
    Ca rappelle la techno de la HMC (Hybrid Memory Cube), un peu disparue des radars en tant que concurrente de la HBM mais basee sur un concept completement different de la HBM et plus proche de cette flash.