Samsung produit en masse des SSD basés sur de la V-NAND QLC

Samsung annonce avoir commencé la production en masse de SSD, de 2,5", basés sur des puces de 1 térabit de mémoire V-NAND QLC (4 bits par cellules) à 64 couches. L’entreprise s’attend à ce que ces derniers amènent un rendement énergétique encore inégalé et qu’ils puissent embarquer jusqu’à 32 puces pour une capacité totale de 4 To.

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Des performances maintenues

Pour maintenir un niveau de performance similaire à celui de ceux basés sur de la mémoire V-NAND TLC (3 bits par cellules), Samsung a équipé ses SSD V-NAND QLC du même contrôleur et de la technologie TurboWrite. Cela leur permet d’atteindre une vitesse de lecture séquentielle de 540 Mo/s et d’écriture séquentielle de 520 Mo/s. Les nouveaux SSD seront déclinés en modèles de 1, 2 et 4 To et accompagnés d’une garantie de 3 ans.
Notez que Samsung prévoit aussi utiliser ses nouvelles puces de 1 térabit de V-NAND QLC pour lancer des cartes mémoires pour smartphones de 128 Go. Puis enfin, l’entreprise compte également s’attaquer aux SSD M.2 NVMe et passer à la production en masse de sa 5ème génération de mémoire V-NAND QLC (à 96 couches) avant la fin de l’année.

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