La STT-MRAM qui consomme le moins au monde

Toshiba vient d’annoncer avoir développé la STT-MRAM consommant le moins au monde. Elle est une excellente candidate pour remplacer les SRAM qui servent de cache aux processeurs. C’est une étape importante qui est l’aboutissement de plus 5 ans de travail sur l’aimantation perpendiculaire (cf. « MRAM perpendiculaire : la solution Toshiba »).

Réduction de la finesse de gravure et abolition des courants de fuites

Le Japonais travaille sur cette technologie depuis 2007, car elle a le grand avantage de réduire la consommation de la cellule mémoire. Pour rappel, le principe est de manipuler le spin des électrons pour que le mouvement angulaire soit vertical.

La mémoire présentée aujourd’hui réduit la consommation de 90 %, selon le fabricant, grâce à une miniaturisation de l’architecture en dessous de 30 nm et une réduction presque parfaite des courants de fuites. On obtient ainsi une mémoire non volatile consommant moins que la SRAM. C’est très prometteur pour les applications mobiles puisqu’il n’y aurait pas besoin de constamment alimenter le cache, contrairement à la SRAM qui est volatile.

Prochaine étape : fabrication en masse

Toshiba ne donne de détails, mais il est très probable qu’il commence à perfectionner sa structure utilisant un alliage de cobalt, fer et bore et une couche isolante de ruthénium (cf. « Toshiba sortirait une STT-MRAM dans 3 ans »). Il faut maintenant arriver à pouvoir produire ces structures en masse, ce qui est pour l’instant loin d’être évident.