Mémoire flash Samsung V-NAND 96 couches 5e génération : 40 % plus rapide

Samsung lance la production en masse de puces mémoires V-NAND (TLC) de 5e génération à 96 couches. D’une densité de 256 Gigabits, elles sont les premières à utiliser l’interface « Toggle DDR 4.0 ». Cette nouveauté leur permet d’atteindre une vitesse de transfert de données de 1,4 Gbit par secondes par puce. C’est-à-dire 40 % plus rapide que la V-NAND à 64 couches.

Sans impact sur la consommation

La nouvelle V-NAND à 96 couches présente le même rendement énergétique que la génération précédente à 64 couches, grâce à une tension réduite de 1,8 Volt à 1,2 Volt. De plus, sa vitesse d’écriture atteint 500 microsecondes (30 % plus rapide) et son temps de réponse en lecture a été réduit à 50 microsecondes. Samsung tient également à noter que grâce aux améliorations du procédé de fabrication de la V-NAND en 3D pyramidale, son rendement de production a augmenté de plus de 30%. Enfin, le fondeur annonce aussi préparer des puces V-NAND QLC de 1 Terabit.

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