Road Map Samsung : la gravure en 3 nm se prépare

À l’occasion du Samsung Foundry Forum, Samsung a présenté une nouvelle roadmap concernant ses procédés de fabrication. Avec ce calendrier, l’entreprise confirme la production en 7 nm LPP d'ici la fin de l’année (qui utilise pour la première fois l’EUV), mais annonce aussi vouloir passer au 3 nm en 2022.

Un nouveau type de transistor

Après le 7 nm LPP, Samsung passera au 5 nm LPE, une version plus fine qui permettra un meilleur rendement énergétique. Ensuite viendra le 4 nm LPE/LPP, qui sera le dernier procédé à utiliser la technologie FinFET (ou transistor 3D Tri-Gate).
Dernière étape de la roadmap, le 3 nm GAA (Gate All Around) utilisera un nouveau type de transistor que Samsung appelle MBCFET ou Multi-Bridge-Channel FET. Peu d’informations ont été données sur ces derniers, mais l’entreprise affirme qu’ils étaient en développement depuis 2002. Les MBCFET devraient permettre de continuer d’augmenter la densité des transistors, tout en réduisant la consommation énergétique et en améliorant les performances des SoC.

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