Après la NAND 3D, SK Hynix parle de NAND... 4D

SK Hynix a présenté son nouveau concept de mémoire « NAND 4D » au Flash Memory Summit. Tout comme la NAND de Samsung et de Toshiba, la nouvelle NAND 4D utilise le principe de CTF (Charge Trap Flash), qui stocke temporairement les électrons sur un film en nitrure de silicium. Cependant, les couches CTF sont traditionnellement reliées à l’horizontale avec le circuit logique. Le nouveau concept de SK Hynix consiste simplement à empiler le tout verticalement

Pas tout à fait nouveau

SK Hynix compte empiler verticalement le circuit logique en dessous des couches CTF, puis relier le tout avec des vias microscopiques. Cela permettra de réduire la largeur des piles de cellules et d’introduire plus de couches CTF par cellules. Cependant cette méthode ressemble beaucoup à la technique de « CMOS Under Array » (CuA) dont Micron et Intel étaient les pionniers. De plus Samsung, a également annoncé passer prochainement à un design de type CuA. Le nom NAND 4D semble donc être légèrement exagéré, et plus un argument marketing, qu’une véritable innovation.

La première génération de NAND 4D à 96 couches TLC sera testée à la fin de l’année, avec des dies de 1 Térabit pour les SSD et de 512 Gbit pour le stockage intégré. D’ici milieu 2019 SK Hynix se tournera alors vers la NAND 4D QLC.

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