Z-SSD : réponse fracassante de Samsung aux SSD Optane 3D Xpoint d'Intel

Samsung annonce de nouveaux SSD de 800 Go basés sur des puces Z-NAND. Ils sont destinés aux entreprises travaillant avec de larges plages de données comme dans le secteur de l’intelligence artificielle. Comparé à la V-NAND actuelle de Samsung, les nouvelles puces seront 10 fois plus rapide en lecture séquentielle. La vitesse de lecture aléatoire du Z-SSD est de 750K IOPS, alors qu’on compte 430K IOPS pour un NVMe PM 963 basé sur la V-NAND 3-bits (soit 1,7 fois plus rapide). La vitesse d’écriture aléatoire monte à 170K IOPS pour une latence de seulement 16 µs (écriture aléatoire 4 fois plus rapide et 5 fois moins de latence que la V-NAND).

1,5 Go de cache DRAM LPDDR4

Le Z-SSD se branche sur un port PCIe 4x, avec accompagné un cache de 1,5 Go de DRAM LPDDR4 et un contrôleur hautes performances. L'endurance est annoncée à une écriture équivalente à 30 fois la capacité du SSD par jour, pendant 5 ans, soit un total de 42 pétaoctets (pour le modèle 800 Go), avec un temps moyen de 2 millions d'heures entre deux pannes (MTBF). Il sera présenté au ISSCC 2018 (International Solid-State Circuits Conference) et une version 240 Go est aussi prévue. L’entreprise coréenne dit déjà travailler sur de prochains modèles plus denses et plus performants.

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