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Bientôt des DRAM SK Hynix en 18 nm, des DDR5 en 10 nm dès 2020 ?

Les fabricants de DRAM continuent de produire des modules toujours plus denses. SK Hynix se met lui aussi au 18 nm, mais ses yeux se portent déjà sur le 10 nm en 2020, une date hautement symbolique puisqu’elle devrait marquer la fin de la DDR4.

Image 1 : Bientôt des DRAM SK Hynix en 18 nm, des DDR5 en 10 nm dès 2020 ?L’usine M14 de SK HynixSK Hynix va commencer la fabrication en masse de DRAM en 18 nm (aussi appelée 1x), selon le site coréen ET News. C’est le deuxième fondeur à graver en moins de 20 nm, Samsung ayant activé ses chaînes de production en 18 nm durant le premier trimestre de cette année. Les deux entreprises devraient enchaîner avec des DRAM en 15 nm (1y) et 10 nm (1z) en 2018 et 2020 environ. SK Hynix tentera de rattraper son retard d’un an sur son concurrent avec chaque nouvelle étape.

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DDR5 en 10 nm ?

Les trois processus de fabrication (1x, 1y et 1z) seraient mis en place dans l’usine M14 de SK Hynix située à Icheon en Corée du Sud. Lorsque le 1x, répondant au nom de code Alius, sera en cours de production, la firme se mettra à travailler sur le 1y (Davinci) et le 1z (Rigel) en même temps. C’est une pratique courante connue sous l’expression « +2 ». L’arrivée des premiers modules de 10 nm en 2020 devrait coïncider avec la mise sur le marché des premières barrettes de DDR5.