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CES : tous les détails sur le Snapdragon 835 de Qualcomm déjà révélés

Pour la première fois, un SoC Qualcomm haut de gamme à huit coeurs.

Parmi les grandes annonces du CES, on compte celle du Snapdragon 835 de Qualcomm. Nos confrères de videocardz ont décidé de jouer les troubles fêtes en publiant dès maintenant les extraits essentiels de la présentation du constructeur. Voici donc en détail les caractéristiques du cerveau des futurs smartphones haut de gamme sous Android :

  • le Snapdragon 835 sera gravé en 10 nm FinFET
  • grâce à cela, il sera plus petit que le Snapdragon 820
  • le Snapdragon 835 consomme 50 % de moins que le Snapdragon 801 (de 2014), à tâche identique
  • la partie CPU est composée de : huit coeurs Kryo 280, dont quatre « haute performance » à 2,45 GHz  et quatre « basse consommation » à 1,9 GHz
  • la partie GPU est un Adreno 540
  • par rapport au Snapdragon 820, le Snapdragon 835 serait 20 % plus rapide côté CPU et 25 % plus rapide côté GPU

Notons aussi la présence d’un modem Snapdragon X16 (LTE Gigabit) et d’un moteur vidéo adapté au décodage des flux 4K, 60 fps, HDR 10 bits. Rappelons que Qualcomm prévoit une disponibilité des smartphones dotés d’un Snpadragon 835 avant l’été 2017. Sauf si les soucis de production en 10 nm sont trop graves pour TSMC…