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Changer la façon de penser aux transistors en graphène

Image 1 : Changer la façon de penser aux transistors en graphèneUne feuille de graphèneDes chercheurs de l’université Riverside en Californie ont publié un papier qui boulverse la façon dont la science conçoit des transistors en graphène, selon MIT Technology Review. Au lieu de se fonder sur un modèle classique où le transistor sert d’interrupteur pour laisser passer l’électricité ou pas, ils jouent sur le phénomène de « résistance négative » qui est observé lorsqu’un courant électrique qui traverse une couche de graphène provoque une baisse de la tension électrique. Ce phénomène se manifeste sous certaines conditions précises et est lié aux propriétés électriques particulières de ce matériau.

Une nouvelle approche prometteuse

Jusqu’à présent, les chercheurs ont principalement tenté de créer un transistor en graphène en ajoutant des matériaux, comme de la molybdénite ou de hydrogène pour essayer de reproduire le fonctionnement d’un transistor en silicium. Le problème est que le graphène ne dispose pas de bande de valence. Le silicium a une bande conductrice et une bande de valence qui permet au matériau de jouer le rôle d’isolant. Les transistors d’aujourd’hui exploitent ce phénomène. Le problème est que le graphène n’a pas de bande de valence. Le courant passe tout le temps. Les chercheurs ont bien essayé d’en créer une en étirant la feuille de graphène, mais cette technique ne semble mener nulle part (cf. « Vers des transistors au graphène »).

En changeant la façon d’exploiter un transistor en graphène, il serait possible d’en fabriquer plus facilement. Il serait aussi possible de simplifier les structures actuelles. Par exemple, les chercheurs ont pu fabriquer une grille XOR à l’aide de trois transistors en graphène au lieu de huit en silicium habituellement.