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Créer des transistors Instant-On

Des chercheurs de l’université de Cornell, située dans l’État de New York, viennent de publier leurs recherches sur la fabrication de transistors aux propriétés ferroélectriques.

Image 1 : Créer des transistors Instant-On

La formule magique

Les résultats furent publiés dans la revue Science de ce mois-ci. Le principe consiste à prendre du titane de strontium (SrTiO3) et de déposer cet oxyde sur du silicium en faisant en sorte que le silicium fasse pression sur le titane de strontium, ce qui va lui donner un état ferroélectrique et ce qui est la clé pour obtenir des transistors qui pourront donner naissance à des mémoires Instant-On (opérationnelles immédiatement).

Le plus gros avantage de cette technologie est qu’elle place le matériau ferroelectrique directement sur le silicium, ce qui signifie qu’il sera relativement simple, en théorie, de produire des composants utilisant cette technique. À titre d’information, cet oxyde n’est pas ferroelectrique en temps normal, mais lorsque les atomes d’un film très fin de titane de strontium sont compressés, un espace entre les atomes réduit de 1,7 % change les propriétés de l’oxyde qui devient ainsi un matériau intéressant pour la fabrication de mémoires. Le film de titane de strontium en question n’est que de quelques atomes d’épaisseur.

Plus besoin d’attendre que son ordinateur démarre

Il n’y aurait ainsi plus besoin de séquence de démarrage ou des accès mémoire depuis un disque dur. Toutes les informations seraient immédiatement disponibles, ce qui signifie qu’un système sera opérationnel immédiatement, sans avoir besoin d’attendre que l’ordinateur démarre.

À titre d’information, ces recherches ont été financées par la National Science Foundation, l’Office de recherche navale et le ministère américain de l’énergie.