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De la MRAM MLC pour remplacer la NAND

Image 1 : De la MRAM MLC pour remplacer la NANDHitachi et des chercheurs de Tohoky University viennent d’annoncer une SPRAM pouvant contenir deux bits par cellule.

Dans la SPRAM, aussi appelées MRAM, les cellules sont constituées d’éléments ferromagnétiques, une donnée étant symbolisée par le spin des électrons (cf. « MRAM : la mémoire qui attire »).

Les chercheurs ont réussi à empiler deux éléments magnétorésistants à effet tunnel les uns sur les autres dans une seule cellule. Ils ont tous les deux la même composition et les mêmes propriétés. La seule différence se situe au niveau de la surface horizontale, l’aire définissant les seuils de courant et des variations de résistances différentes de chaque élément. Ces caractéristiques seront utilisées pour écrire sur un élément précis. Malgré ces changements, les performances de l’architecture MLC seraient identiques aux modèles SLC.

Au départ, la MRAM était avant tout considérée comme une remplaçante de la DRAM, mais cette hausse de la capacité, qui entraîne une baisse des coûts de production, signifie qu’elle pourrait bien remplacer les mémoires flash.