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De la V-NAND contenant 3 bits par cellule chez Samsung

Image 1 : De la V-NAND contenant 3 bits par cellule chez SamsungUn SSD Samsung

Samsung vient d’annoncer être prêt à livrer une mémoire flash 3D V-NAND contenant 3 bits par cellule et empilant 32 couches verticalement d’ici quelques semaines. La présentation a eu lieu durant le Flash Memory Summit qui s’est tenu en Californie cette semaine, selon EETimes .

Les NAND de Samsung continuent d’impressionner

2014 est une bonne année pour les NAND de Samsung. Il vient de commercialiser son SSD Samsung 850 Pro qui est le premier à utiliser ses NAND 3D et qui est une réussite. Le mois dernier, il a annoncé pouvoir fabriquer des V-NAND à 32 couches au lieu des 24 habituelles. Aujourd’hui il annonce une mémoire V-NAND à 3 bits par cellules.

Vers des SSD grand public de 1 To

Concrètement, cela va ouvrir la voie à des puces de 128 Gbits consommant 40 % moins qu’une mémoire en 2D de même capacité. La firme n’a pas donné de chiffres, ni de détails sur les performances, mais on s’attend à ce qu’elle soit utilisée dans des SSD milieu de gamme EVO, comme le Samsung 840 EVO. Le fabricant de SSD travaille maintenant sur une puce de 256 Gbits qui est attendue pour 2015. À plus long terme, il parle déjà de puces V-NAND de 100 couches pouvant contenir 1 Tbit (125 Go), mais il ne donne pas de date pour ces puces et il est possible qu’on ne les voie pas avant trois à cinq ans. En attendant, les premières V-NAND pour mobile devraient bientôt être commercialisées (cf. « Leur production en masse rapproche les NAND 3D de nos smartphones »).

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