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Des coeurs Kryo 200 pour le Snapdragon 835, et 8 Kryo classiques pour le nouveau 660

A quelques mois de leur lancement, les Snapdragon 835 et 660 se dévoilent un peu plus. Le premier utiliserait l’architecture Kryo II tandis que le second officialiserait l’arrivée de Kryo en milieu de gamme.

Image 1 : Des coeurs Kryo 200 pour le Snapdragon 835, et 8 Kryo classiques pour le nouveau 660

Reprenant les bases du Snapdragon 808, le 660 est le premier SoC de milieu de gamme à utiliser la microarchitecture Kryo (ARMv8-A), jusqu’à présent exclusivement réservée aux Snapdragon 800 Series. Il devrait être équipé de huit cœurs (deux groupes de quatre).

660 : Kryo en milieu de gamme

Gravé en 14 nm LPP FinFET comme le Snapdragon 820, le Snapdragon 660 embarquerait également un Adreno 512 pour la partie graphique (capable d’afficher du 2K), un contrôleur UFS 2.1 pour le stockage, un contrôleur LPDDR4-1866 dual-channel et un modem LTE Qualcomm X10 que l’on trouve déjà dans les Snapdragon 808/810 et capable d’atteindre des débits de l’ordre de 450 Mbit/s en download et de 50 Mbit/s en upload.

Le Snapdragon 660 n’est pas attendu sur le marché avant le deuxième trimestre 2017, ce qui signifie que les premiers produits équipés de ce SoC ne devraient pas être disponibles avant la deuxième partie de l’année prochaine.

835 : Kryo II en 10 nm

On en apprend également un peu plus sur le futur Snapdragon 835, compatible Quick Charge 4 : avec son architecture Kryo 200, il embarquera lui aussi deux groupes de quatre cœurs, ainsi qu’un GPU Adreno 540 capable d’afficher du 4K, un contrôleur mémoire LPDDR4-1866 quad-channel et un modem LTE Qualcomm X16 (1 Gbit/s en download, 150 Mbit/s en upload). L’ensemble étant gravé en 10 nm FinFET, la consommation devrait rester raisonnable. Le Snapdragon 835 est attendu pour le début de l’année 2017, et il devrait être utilisé par les futurs Galaxy S8 de Samsung, au moins en partie.