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Des DDR3 pour Ultrabooks en 30 nm

Image 1 : Des DDR3 pour Ultrabooks en 30 nmMicron a annoncé avoir commencé la production en masse de modules DDR3L-RS en 30 nm d’une capacité de 2 Gbit et 4 Gbit. Ces composants sont destinés aux Ultrabooks en raison de leur faible consommation.

Une mémoire qui consomme moins en mode veille

RS signifie Reduced Standby et montre que ces mémoires demandent moins d’électricité pour être rafraîchies, ce qui réduit leur consommation en mode veille. La DDR est une mémoire dite volatile qui demande d’être alimentée pour continuer à stocker ses informations. La DDR3L-RS demande toujours 1,35 V, comme les DDR3L classiques, mais les économies en mode veille peuvent être importantes. Micron ne donne pas de chiffres, mais Hynix a récemment présenté un prototype en 20 nm consommant 70 % d’énergie en moins. L’utilisation de DDR3L-RS devrait donc avoir un impact bénéfique direct sur l’autonomie.

Des DDR3L-RS plus gros cette année, la DDR4-RS l’an prochain

Micron serait le premier à commercialisé une mémoire certifiée DDR3L-RS, selon le communiqué. Les puces vont intégrer des configurations Ivy Bridge. Le fabricant annonce aussi qu’il a commencé à tester des modules de 8 Gbit qui devraient être produits en masse en décembre si tout se passe bien. Les DDR4-RS sont attendues pour le début de l’année prochaine.