Accueil » Actualité » Des mémoires Racetrack et des puces en graphène par IBM

Des mémoires Racetrack et des puces en graphène par IBM

Image 1 : Des mémoires Racetrack et des puces en graphène par IBM

IBM a présenté ses plus grands travaux de recherche à l’occasion de la conférence IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) qui se tient à Washington, DC. Il a ainsi montré les premières mémoires Racetrack gravées sur des wafers de 200 mm, un circuit intégré en graphène pour des communications sans fil et le premier transistor en nanotube de carbone disposant d’un canal entre la source et le drain de 10 nm.

Racetrack

Les deux premiers exploits sont inspirés de papiers publiés cette année. En septembre dernier, Big Blue annonçait avoir fait des progrès importants dans le domaine des mémoires Racetrack et pense à une commercialisation d’ici 2020 (cf. « La mémoire IBM Racetrack pourrait être une réalité en 2020 »). Pour rappel, cette mémoire repose sur le principe que se sont les données qui se déplacent au lieu d’être cherchées. Le nom « racetrack » (piste de course, en français), vient de la piste d’une dizaine de nanomètres d’épaisseur sur laquelle les électrons se déplacent.

Image 2 : Des mémoires Racetrack et des puces en graphène par IBMGraphène

La deuxième présentation est un dérivé du premier die en graphène présenté en juin dernier (cf. « Avancée majeure : IBM signe le premier die en graphène »). IBM a démontré qu’il était possible de fabriquer des multiplicateurs de fréquences opérationnels à 5 GHz permettant la création d’outils de communications sans fil plus fiables. Ce composant est aujourd’hui possible grâce aux nouvelles méthodes de fabrications présentées cette année.

Nanotubes de carbone

Enfin, le papier le plus surprenant était sans doute le transistor en nanotubes de carbone disposant d’un canal de seulement 10 nm, une dimension qu’il est très difficile d’atteindre avec du silicium. Les résultats de ces recherches sont prometteurs avec des performances meilleures que prévu. En effet, en plus de pouvoir passer d’un état off à un état on très rapidement, le transistor limite grandement les courants de fuites qui sont un réel problème à cette échelle. Nous sommes néanmoins encore loin de la commercialisation.