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Des NAND de 20 nm par Samsung

Image 1 : Des NAND de 20 nm par Samsung

Samsung vient d’annoncer avoir développé des modules NAND MLC de 20 nm et a déjà livré des exemplaires de test à ses partenaires. La production de masse devrait démarrer plus tard dans l’année.

Selon le Corèen, cette nouvelle finesse de gravure permet d’accroître la capacité de 50 % sur un espace identique et on s’attend à trouver des cartes d’une capacité allant de 4 Go à 64 Go. Les modèles fabriqués ont un débit de 10 Mo/s en écriture et 20 Mo/s en lecture. On devrait donc trouver ces mémoires dans les cartes SD de classe 10.

Parmi les concurrents de Samsung, rappelons qu’Intel-Micron va débuter dans ses usines la production de Flash en 25 nm cette année, de même que Toshiba bien que ce dernier paraisse un peu en retard sur son planning. Voilà qui, on l’espère, devrait permettre d’absorber l’énorme demande en NAND Flash due au succès des smartphones, iPad, et autres SSD, dont les prix tardent à baisser.