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Des nouvelles de la FeRAM

Epson a publié hier un commiqué de presse annonçant les deniers développement de sa technologie de mémoire FeRAM. Le fabricant a réussi à mettre au point un nouveau matériau ferromagnétique, présentant une durée de vie 10 fois supérieure à celle des matériaux précédemment utilisés.

Ce nouveau matériau, baptisé PZTN soit du zircono-titanate de plomb et niobium, a été obtenu en introduisant du niobium à la place du plomb dans le PZT, précédent matériau favori pour la FeRAM. Avec le PZTN, Epson améliore donc encore un des points forts de la FeRAM. Cette mémoire vive non-volatile possède en effet plusieurs avantages comparée à la technologie dominant le marché aujourd’hui, à savoir la Flash :

  • La FeRAM est beaucoup plus fiable et capable d’un nombre de cycles lecture/écriture 1 million de fois plus grand
  • La FeRAM consomme moins d’énergie que la Flash (courant d’écriture 10 à 20 fois plus faible)
  • La vitesse d’écriture d’un bit est de 100 ns sur la FeRAM PZTN, soit 100 fois plus vite que de la Flash
  • La vitesse de leture est au moins aussi bonne, aux alentours de 75 ns

Malgré tout, la Flash conserve l’avantage d’une bien plus grande capacité, et d’une meilleure compatibilité avec les procédés de fabrication existant. Malgré tous leurs avantages, l’avenir commercial des mémoires FeRAM est donc assez incertain. Il est probable qu’elles restent encore pour un bon moment cantonnées à des marchés de niche.