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Des puces mémoire Flash à 40 nm chez Samsung

Samsung qui vient d’annoncer la mise au point de mémoire PRAM, qui remplacera la mémoire Flash NOR dans les téléphones portables, continue à faire évoluer la capacité de ses puces Flash Nand en réduisant la finesse de gravure. Le fabricant coréen, leader sur ce marché a développé la première puce mémoire Flash Nand produite à 40 nm. Cette puce de 32 Gbit servira à produire des cartes mémoires ayant une capacité de 64 Go, de quoi stocker 16 000 fichiers MP3, ou 64 heures de vidéo en résolution DVD.

Samsung estime que grâce à cette puce, il lui sera possible de lancer des baladeurs MP3 de 32 Go dès 2008, ainsi que des disques durs à mémoire statique (SSD) de 128 Go. Et Samsung ne compte pas s’arrêter la. Il prévoit de doubler la densité de ses puces tous les douze mois grâce à une nouvelle structure de transistors qui facilitera la migration vers des processus de production à 30 nm et 20 nm. A 20 nm, Samsung devrait pouvoir produire une puce mémoire Flash de 256 Gbit.