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En 2020, l’après-DDR4 atteindra 51,2 Go/s

Image 1 : En 2020, l'après-DDR4 atteindra 51,2 Go/s

La roue de l’informatique ne s’arrêtant jamais d’avancer, personne ne sera surpris de savoir que les grands fabricants de mémoire vive travaillent déjà sur l’après-DDR4. Introduite l’année dernière, mais lancée pour le grand public cette année par les processeurs Intel Skylake, la DDR4 devrait résister jusqu’en 2020. Ensuite ? Hé bien, ensuite, tout reste à faire. Samsung est en tout cas persuadé que l’interface de la DDR4 ne pourra aller plus loin et qu’il faudra innover.

Samsung, qui est le premier fabricant de RAM au monde, s’est déjà fixé des objectifs pour la future mémoire qui prendra le relais au tournant de la décennie. Elle devra atteindre au minimum une vitesse de 6,4 Gbit/s par contact, soit 51,2 Go/s de bande passante pour un bus 64 bits. Rappelons que les modules de DDR4 les plus rapides atteignent aujourd’hui « 3600 MHz », soit 3,6 Gbit/s par pin, ce qui dépasse déjà les 3,2 Gbit/s prévus par la spécification du JEDEC.

D’ici à 2020, les fréquences ne devraient pas trop bouger, comme ce fut le cas d’ailleurs pour la DDR3. Samsung mise plutôt sur une augmentation de la densité. Les meilleures puces sont pour le moment gravées en 20 nm et totalisent 8 Gbit. Durant les prochaines années, la finesse descendra vers les 10 nm et les capacités pourraient doubler. L’après DDR4 prendra le relais sous les 10 nm.