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Eterna FCVD pour graver en moins de 20 nm

Image 1 : Eterna FCVD pour graver en moins de 20 nm

Applied Materials, un équipementier, vient d’annoncer avoir développé une technologie permettant d’isoler électriquement des transistors gravés en 20 nm et moins en déposant un film de haute qualité.

Le principe est simple, mais la firme ne donne que très peu de détail. Le film liquide s’adapte à n’importe quelle structure afin de remplir les vides qui peuvent exister entre les composants. Le matériau serait relativement bon marché selon la société et le procédé de fabrication devrait avant tout être avantageux pour les fabricants de mémoire. C’est aussi une étape importante pour la survie de la conjecture de Moore, puisque cela permet de miniaturiser les transistors et accroitre la profondeur à laquelle on peut graver le wafer.