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Fujitsu va fabriquer de la RAM avec des nanotubes de carbone

La mémoire universelle est à nos portes, ou presque. D’ici deux ans, Fujitsu produira de la NRAM, une mémoire non volatile à base de nanotubes de carbone tellement rapide qu’elle pourrait remplacer la DRAM et la Flash.

Image 1 : Fujitsu va fabriquer de la RAM avec des nanotubes de carbone

Fujitsu a bon espoir de fabriquer avant la fin 2018 des modules de mémoire NRAM, un nouveau type de mémoire utilisant des Nanotubes de carbone. Révolutionnaire, cette mémoire non volatile serait plusieurs milliers de fois plus rapide que la Flash en écriture ; si rapide, en fait, qu’elle pourrait remplacer la mémoire vive traditionnelle !

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Une couche de nanotubes comme mémoire

La NRAM a été développée par la société Nantero, depuis une décennie (nous en parlions déjà en novembre 2006). En plus de Fujitsu, d’autres fondeurs seraient intéressés et travailleraient déjà sur des implémentations dans leur usine. 

Le fonctionnement de la NRAM est très innovant. Les nanotubes agissent comme un isolant entre deux électrodes. Lorsqu’un courant leur est appliqué, ils se rapprochent de l’électrode et entrent en contact les uns avec les autres, ce qui abaisse la résistance électrique. C’est l’état 1. Pour effacer une cellule, il faut éloigner les tubes, ce qui est fait par vibration.

La panacée, pour de vrai ?

Les avantages de la NRAM sont nombreux – du moins en théorie. Elle pourrait être aussi dense que la DRAM, aussi rapide que la DRAM mais ne consommerait pas de courant au repos. Par rapport à la mémoire Flash, elle aurait une endurance virtuellement infinie (Nantero l’a testée jusqu’à 1 milliard de cycles d’écriture),  elle conserverait les données pendant 1000 ans à 85 °C et ses cellules sont adressables individuellement. La mémoire idéale ? Attendons que Fujitsu ait gravé sa puce de 256 Mbit (en 55 nm) pour le savoir.