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Globalfoundries envisage graver un 22 nm FD-SOI

Image 1 : Globalfoundries envisage graver un 22 nm FD-SOIGlobalfoundriesGlobalfoundries a expliqué à nos confrères de KitGuru qu’il étudiait la possibilité de graver en 22 nm FD-SOI. Ce serait une finesse de gravure moins chère que celle utilisant des FinFET en 14 nm et elle serait principalement utilisée pour des composants bon marché ou qui ne requierent pas la dernière finesse de gravure. On ne présente plus le SOI (Silicon on Insulator), cette technologie inventée par SOITEC qui place une couche d’oxyde entre deux couches de silicium pour réduire les courants de fuite. Sur le FD-SOI la couche supérieure de silicium est très fine (de 10 nm à 30 nm d’épaisseur) et elle n’est pas dopée. Cela permet de plus facilement augmenter la finesse de gravure, mais aussi d’avoir des transistors fonctionnant à des fréquences plus élevées. Selon les informations de nos confrères, Globalfoundries aurait déjà commencé à graver en 22 nm FD-SOI, mais on ne sait pas s’il va mettre ses chaînes de fabrication à la disposition de ses clients.