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Hynix et Toshiba s’unissent pour la STT-MRAM

Image 1 : Hynix et Toshiba s'unissent pour la STT-MRAMHynix et Toshiba ont annoncé qu’ils allaient collaborer au développement de STT-MRAM et qu’ils s’uniraient dans une co-entreprise pour assurer leur fabrication. Ils ont aussi procédé à un échange de brevets et ont passé des accords de livraisons. Comme le dit clairement Toshiba dans communiqué, c’est aussi un moyen de réduire les risques associés à la mise sur le marché d’une nouvelle mémoire.

Cette annonce survient une semaine après que Toshiba ait publié des recherches intéressantes sur des jonctions tunnel à aimantation perpendiculaire qui nécessitent moins de courant (cf. « Toshiba sortirait une STT-MRAM dans 3 ans »). Ces structures sont au coeur des mémoires STT-MRAM ou Spin-Transfer Torque Magnetoresistive Random Access Memory. Le couple de transfert de spin (Spin-Transfer Torque en anglais) est un phénomène qui a lieu lorsqu’un courant polarisé en spin (qui contient des électrons ayant le même mouvement angulaire, NDLR) traverse la jonction tunnel magnétique, une structure composée de deux éléments ferromagnétiques séparés par une fine couche isolante. Comme le montre le schéma ci-contre, une des couches ferromagnétiques est dite piégée par un élément antiferromagnétique. Quoi qu’il arrive, sa polarité restera inchangée. L’autre couche est par contre libre et lorsque le courant polarisé traverse la jonction à effet tunnel, elle va adopter le spin des électrons envoyés, un phénomène connu sous le nom de Spin-transfer Switching. On va ensuite mesurer la résistance magnétique de la structure. Si elle est forte, cela signifie que les deux plaques ferromagnétiques ont des polarités opposées, ce qui représente un 0. Si elle est faible, les polarités sont identiques, ce qui signifie un 1.

Hynix travaille depuis longtemps sur ce genre de mémoire et il ne fait aucun doute qu’en se joignant à lui, Toshiba va profiter des avancées technologiques que son partenaire à développer avec Grandis, un des pionniers dans le domaine des MRAM (cf. « Hynix et Grandis pour la STT-RAM »). Le rapprochement devrait accélérer les développements et rapprocher cette technologie des marchés, même si personne ne parle encore de commercialisation.